GaNIAL

Integrierte, hocheffiziente Leistungselektronik auf der Basis von Galliumnitrid

Monolithisch integrierte GaN-Leistungsschaltkreise für kompaktere und effizientere Leistungselektronik© Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik

Motivation

Die Leistungselektronik ist eine Schlüsseltechnologie für die Energieeffizienz. Sie kommt vor allem in Branchen zum Einsatz, in denen Deutschland besondere Stärken hat: etwa in der Automobilindustrie, im Energiesektor und im Maschinen- und Anlagenbau. Innovationen auf Basis neuer Halbleitermaterialien bereiten jetzt den Weg zu Leistungselektroniksystemen der nächsten Generation mit gesteigerter Leistung, Effizienz und Robustheit. Darüber hinaus ermöglichen die neuen Halbleitermaterialien besonders kompakte Bauformen und niedrige Verlustleistungen, wodurch gänzlich neue Anwendungsszenarien erschlossen werden.

Ziele und Vorgehen

Mit dem Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN) kann Leistungselektronik mit einem sehr hohen  Wirkungsgrad für die Elektromobilität und den Maschinen- bzw. Anlagenbau realisiert werden. Diese neuen Systeme lassen im Vergleich zu heutigen Systemen höhere Leistungen bei geringerer Größe, schnelleres Schalten und höhere Betriebstemperaturen zu. Ziel des Projekts GaNIAL ist es, GaN-Leistungselemente, Ansteuerschaltungen und thermische Zustandsüberwachung extrem kompakt auf einem einzigen Halbleiterchip zu integrieren. Eine ausgeklügelte Aufbau- und Verbindungstechnik soll dabei für geringe Verluste, optimierte elektromagnetische Verträglichkeit und eine effiziente Kühlung des Leistungsmoduls sorgen. 

Innovationen und Perspektiven

Die Integration des GaN-Leistungsmoduls auf  einem einzigen Chip ist hochinnovativ und ermöglicht bei Erfolg einen neuen Grad an Leistungsdichte, Effizienz, Robustheit und Funktionalität. Kompaktere und effizientere Leistungselektroniksysteme können zum Beispiel einen Beitrag  zur Leistungs- und Reichweitensteigerung in der Elektromobilität leisten.